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icHub/九维智造
深圳市
Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV5128BLL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC Der IS61WV5128BLL-10BLI ist ein sehr schneller, stromsparender statischer 8-Bit-CMOS-RAM mit einer Kapazität von 524.288 Wörtern. Der IS61WV5128Axx und der IS61/64WV5128Bxx werden unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess sorgt in Verbindung mit einer innovativen Schaltungsdesigntechnik für eine höhere Leistung und einen geringeren Stromverbrauch des Bauteils. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mithilfe von CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Die Modelle IS61WV5128Axx und IS61/64WV5128Bxx werden über eine einzige Stromversorgung betrieben. Features Einzelne Stromversorgung Drei Zustandsausgänge Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau
26/05/06
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产品号
001248641
ECCN
EAR99
HSCode
8542329000
产品说明书
停产
描述
IC SRAM 4MBIT 10NS 36MBGA
SKU
MCM24999XS---
类目
包装类型
TRAY
SPQ
1
产地
--
净重
0.5克
库存分类
--
商品号
B000044000193
商品名
SRAM
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Yes
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EAR99 ECCN号 EC0001
  • 区域中国
  • 级别 NLR
  • 描述
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8542329000 编码 CN8542329000H
  • 名称(过期)其他用作存储器的集成电路
  • 国家中国
  • 监管
  • 检疫
  • 进口税率0.00%
  • 出口税率0.00%
  • 对美税率0.00%
  • 描述过期,新hscode 8542329010和8542329090
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