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STMicroelectronics

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深圳市

Leistungs-MOSFET, STP3NK80Z, STMicroelectronics Der STP3NK80Z ist ein 800V N-Kanal Zener-geschützter Power-MOSFET, der unter Verwendung der SuperMESH™ Technologie entwickelt wurde, was durch die Optimierung des gut etablierten streifenbasierten PowerMESH™ Layouts erreicht wurde. Neben der deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstandes wird besonders darauf geachtet, dass eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist. Verbesserte Gate-Ladung und geringere Verlustleistung, um den heutigen anspruchsvollen Effizienzanforderungen gerecht zu werden. Features Extrem hohe dv/dt Fähigkeit 100% lawinengeprüft Gate-Ladung minimiert Sehr niedrige intrinsische Kapazität Sehr gute Wiederholbarkeit der Fertigung

26/06/20