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深圳市

Eigenschaften Keramik: NP0 (Klasse I), X7R (Klasse II) Hohe elektrische Präzision und Stabilität der Keramik insbesondere bei NP0 Hochleistungskeramik Betriebstemperatur: -55 °C bis + 125 °C für NP0 und X7R Temperaturkoeffizient: ±30 ppm/°C ±0.54 % für NP0 ±15 % für X7R Terminierung: Cu/Ni/Sn Produktserie für die allgemeine Anwendung Kapazitätsbereich: 1 pF ‒ 10 µF Kapazitätsbereich: 1 pF ‒ 47 µF Keramik: NP0 (Klasse I), X5R (Klasse II), X7R (Klasse II) Hohe elektrische Präzision und Stabilität der Keramik insbesondere bei NP0 Hochleistungskeramik Minimale Alterung insbesondere bei NP0 Minimale Alterung insbesondere bei NP0 Montagetyp: SMT-Chip Betriebstemperatur: -55 °C bis + 125 °C für NP0 und X7R -55 °C bis + 85 °C für X5R Empfohlenes Lötverfahren: Reflow-Löten Temperaturkoeffizient: ±30 ppm/°C ±0.54 % für NP0 ±15 % für X7R und X5R Spannungsbereich (UR): 6.3 ‒ 100 V(DC) Wellenlöten (nur für die Dicke ≤1.00 mm) für NP0 und X7R Applikationen Temperaturkompensation (NP0) Kopplung Entkopplung Bypass Glättung Befilterung Resonanzkreis Temperaturkompensation (NP0) Kopplung Entkopplung Bypass Glättung Befilterung Resonanzkreis Temperaturkompensation (NP0) Kopplung Entkopplung Bypass Glättung Befilterung Resonanzkreis

26/05/06